| 标题 |
 First‐Principles Calculations of Electronic Structure and Optical Properties of Si‐Doped and Vacancy β‐Ga2O3 Si掺杂和空位β-Ga2O3电子结构和光学性质的第一性原理计算
相关领域
摩尔吸收率
电导率
吸收（声学）
兴奋剂
材料科学
空位缺陷
电阻率和电导率
凝聚态物理
化学
光电子学
物理化学
光学
物理
量子力学
复合材料
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Crystal Research and Technology 作者：Jifei Liu; Shanshan Gao; Weixue Li; Jianfeng Dai; Zhongqiang Suo; et al 出版日期：2021-10-13 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
卡卡西
SYLH
cdercder
昏睡的蟠桃
科研助手6
sunyz
nozero
bc
平常的毛豆
蓝调爱科研
椰子在长江送礼物
iNk
子车茗
蛇虫鼠蚁
pcr163
非而者厚
LMNg6n
CyrusSo524
8R60d8
YifanWang
皖公网安备34019202002308
