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 Enhanced Performance of Dual Material Double Gate Negative Capacitance Tunnel Field Effect Transistor (DMDG‐NC‐TFET) via HZO Ferroelectric Integration for Improved Drain Current and Subthreshold Swing 通过HZR铁电集成提高双材料双栅负电容隧道场效应晶体管（DMDG-NC-TET）的性能，以改善漏极电流和亚阈值摆动
相关领域
电容
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隧道场效应晶体管
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期刊：International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields 作者：P. Hannah Blessy; A. Shenbagavalli; T. S. Arun Samuel; J. Charles Pravin 出版日期：2024-11-01 |
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