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 Vacancy defects induced changes in the electronic and optical properties of NiO studied by spectroscopic ellipsometry and first-principles calculations 利用光谱椭圆偏法和第一性原理计算研究空位缺陷引起的二氧化氮电子和光学性质的变化
相关领域
非阻塞I/O
材料科学
带隙
空位缺陷
密度泛函理论
半导体
态密度
X射线光电子能谱
凝聚态物理
光电子学
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物理
生物化学
催化作用
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Kingsley O. Egbo; Chao Liu; Chinedu Ekuma; Kin Man Yu 出版日期：2020-10-07 |
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