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 Effect of annealing time on the microstructure, crystal quality and optoelectronic properties of Er-Ga2O3 films 退火时间对Er-Ga2O3薄膜微观结构、晶体质量和光电性能的影响
相关领域
退火（玻璃）
材料科学
外延
光电子学
微观结构
带隙
兴奋剂
电阻率和电导率
纳米技术
冶金
电气工程
工程类
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Journal of Materials Science Materials in Electronics 作者：Zi Wang; Zhuoxuan Zhang; Xiaokun Yang; Jie Liu; Hongdi Xiao 出版日期：2023-04-01 |
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皇甫凝海
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