| 标题 |
 A novel depletion-mode T-shaped recessed-gate GaN HEMT with AlGaN/GaN/InAlGaN double heterojunction for RF and low noise applications 相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
光电子学
异质结
制作
噪音（视频）
晶体管
泄漏（经济）
场效应晶体管
噪声系数
双异质结构
逻辑门
宽禁带半导体
电场
氮化镓
图层（电子）
次声
阻挡层
双闸门
电子工程
和大门
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期刊：Micro and nanostructures 作者：Amit Agarwal; Sumit Kale 出版日期：2025-11-22 |
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