A novel depletion-mode T-shaped recessed-gate GaN HEMT with AlGaN/GaN/InAlGaN double heterojunction for RF and low noise applications

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作者
Amit Agarwal,Sumit Kale
出处
期刊:Micro and nanostructures 卷期号:210: 208470-208470 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.micrna.2025.208470
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