High-Temperature Enhancement-Mode Ga₂O₃ Monolithic Bidirectional Switch With >6.5 kV Breakdown Voltage

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标题	High-Temperature Enhancement-Mode Ga₂O₃ Monolithic Bidirectional Switch With >6.5 kV Breakdown Voltage
网址	https://ieeexplore.ieee.org/ielam/55/11367788/11303868-aam.p...
DOI	10.1109/led.2025.3646042 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yuan Qin; Chongde Zhang; Matthew Porter; Xin Yang; Zineng Yang; et al 出版日期：2026-02-01
求助人	大国在 2026-08-10 00:24:28 发布自浙江，悬赏 10 积分
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