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Suppressing Interface Traps Density of Top-Gate MoS 2 Transistor via H 2 O Presoak for HfO 2 |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Kaiyue He; Zhanqi Li; Yijing Yang; Yifu Sun; Lingyu Zhang; et al 出版日期:2026-06-01 |
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(2025-6-4)