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标题
Analytical modeling of CV and I-V characteristics in p-GaN gate HEMTs based on the unified 2DEG density expression
网址
DOI
10.1016/j.microrel.2025.115789 doi
其它 期刊:Microelectronics Reliability
作者:Lili Zhang; Yanan Yin; Yiwu Qiu; Tao Wang; Pingwei Zhang; et al
出版日期:2025-08-01
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哈哈哈哈 在 2026-07-09 17:00:33 发布自陕西,悬赏 10 积分
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