Tensile strained Ge p-i-n photodetectors on Si platform for C and L band telecommunications

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标题	Tensile strained Ge p-i-n photodetectors on Si platform for C and L band telecommunications
网址	http://dx.doi.org/10.1063/1.1993749
DOI	10.1063/1.1993749 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Jifeng Liu; Douglas D. Cannon; Kazumi Wada; Yasuhiko Ishikawa; Samerkhae Jongthammanurak; et al 出版日期：2005-07-01
求助人	hjw 在 2026-08-30 22:28:54 发布自江苏，悬赏 10 积分
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