融合忆阻器的新型场效应晶体管及其制备方法

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标题	专利、报告等融合忆阻器的新型场效应晶体管及其制备方法
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	申请/专利号：CN202511585995.7；申请/专利权人：北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司北京大学；发明/设计人：刘力锋，伊亚玎，冯玉林，周正，黄鹏康晋锋，张兴
求助人	Chauncey 在 2026-08-04 09:21:36 发布自贵州，悬赏 10 积分
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