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标题
Investigation and Design of Stacked Oxide Polarity Gate JLTFET in the Presence of Interface Trap Charges for Analog/RF Applications
模拟/射频应用中存在界面陷阱电荷的堆叠氧化物极性栅极JLTFET的研究与设计
相关领域
材料科学 跨导 光电子学 栅极电介质 栅氧化层 互调 线性 电介质 电气工程 电压 晶体管 放大器 CMOS芯片 工程类
网址
https://doi.org/10.1007/s12633-021-01162-9
DOI
10.1007/s12633-021-01162-9 doi
其它 期刊：Silicon
作者：Kaushal Nigam; Sajai Vir Singh; Priyanka Kwatra
出版日期：2021-05-29
求助人
腊梅 在 2025-08-04 14:35:28 发布，悬赏 10 积分
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