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 A 0.000159 mm2 2.9 μm-pitch 4.3fJ/Conv 6-bit SAR ADC for high throughput parallel readout of analog SRAM computing-in-memory 0.000159 mm2 2.9 μ m间距4.3 fJ/Conv 6位SAR ADC，用于模拟SRAM内存计算的高吞吐量并行读出
相关领域
逐次逼近ADC
静态随机存取存储器
吞吐量
计算机科学
计算机硬件
物理
电子工程
并行计算
电气工程
工程类
电容器
无线
电压
电信
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| 其它 |
期刊：Microelectronics Journal 作者：Lin Wu; Lichen Feng; Yunlong Liu; Libo Qian; Yinshui Xia; Zhangming Zhu 出版日期：2025-04-09 |
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