Study on ionization damage of silicon-germanium heterojunction bipolar transistors at various dose rates

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标题	Study on ionization damage of silicon-germanium heterojunction bipolar transistors at various dose rates 相关领域材料科学双极结晶体管光电子学异质结辐照锗电离辐射撞击电离异质结双极晶体管硅剂量率辐射晶体管电离放射化学光学电压化学电气工程物理离子有机化学核物理学工程类
网址	https://doi.org/10.7498/aps.62.196104
DOI	10.7498/aps.62.196104 doi
其它	期刊：Acta Physica Sinica 作者：Yabin Sun; Jun Fu; Jun Xu; Wang Yudong; Wei Zhou; et al 出版日期：2013-01-01
求助人	SciGPT 在 2025-10-13 17:50:11 发布自广西，悬赏 10 积分
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