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Study on GaN buffer leakage current in AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures grown by ammonia-molecular beam epitaxy on 100-mm Si(111)
100mm Si(111)上氨分子束外延AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管GaN缓冲漏电流的研究
相关领域
材料科学
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期刊:Journal of applied physics 作者:Ravikiran Lingaparthi; K. Radhakrishnan; S. Munawar Basha; N. Dharmarasu; M. Agrawal; et al 出版日期:2015-06-24 |
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