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 A 32 kb 55 nm Radiation-Hardened SRAM Chip With SEU ≤1.1 E-11 Upsets/Bit-Day, SEL >107.1 MeV ⋅ cm²/mg, and TID >100 Krad(Si) for Space Applications 相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Circuits and Systems I Regular Papers 作者：Deming Zhang; Jiaxin Yang; Dingyi Luo; Jianpeng Zhang; Lang Zeng; et al 出版日期：2025-05-09 |
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