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 N-Face Metal–Insulator–Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors With AlN Back-Barrier 相关领域
晶体管
截止频率
材料科学
光电子学
半导体
电子迁移率
高电子迁移率晶体管
电气工程
物理
电压
工程类
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Man Hoi Wong; Yi Pei; Rongming Chu; Siddharth Rajan; Brian L. Swenson; et al 出版日期：2008-09-18 |
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