Enhancement of silicon vacancy fluorescence intensity in silicon carbide using a dielectric cavity

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标题	Enhancement of silicon vacancy fluorescence intensity in silicon carbide using a dielectric cavity 利用介质腔增强碳化硅中硅空位荧光强度
网址	https://doi.org/10.1364/OL.522770
DOI	10.1364/OL.522770 doi
其它	期刊：Optics Letters 作者：Qi-Cheng Hu; Ji Xu; Qin-Yue Luo; Hai-Bo Hu; Pei-Jie Guo; et al 出版日期：2024
求助人	斯文败类在 2025-12-05 13:51:15 发布自上海，悬赏 10 积分
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