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 Detection of defect levels in vicinity of Al2O3/p-type GaN interface using sub-bandgap-light-assisted capacitance–voltage method 亚带隙光辅助电容电压法检测Al2O3/p型GaN界面附近的缺陷能级
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Masamichi Akazawa; Yuya Tamamura; Takahide Nukariya; Kouta Kubo; Taketomo Sato; et al 出版日期：2022-11-16 |
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