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A trench/planar SiC MOSFET integrated with SBD (TPSBD) for low reverse recovery charge and low switching loss 相关领域
沟槽
平面的
MOSFET
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Zhonglin Han; Yun Bai; Hong Chen; Chengzhan Li; Jiang Lu; et al 出版日期:2020-07-08 |
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