A trench/planar SiC MOSFET integrated with SBD (TPSBD) for low reverse recovery charge and low switching loss

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作者
Zhonglin Han,Yun Bai,Hong Chen,Chengzhan Li,Jiang Lu,Guan Song,Xinyu Liu
出处
期刊:Semiconductor Science and Technology [IOP Publishing]
卷期号:35 (10): 105002-105002 被引量:11
标识
DOI:10.1088/1361-6641/aba41c
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