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A trench/planar SiC MOSFET integrated with SBD (TPSBD) for low reverse recovery charge and low switching loss

沟槽 平面的 MOSFET 光电子学 电荷(物理) 材料科学 反向偏压 电气工程 物理 纳米技术 计算机科学 晶体管 电压 工程类 计算机图形学(图像) 图层(电子) 量子力学 二极管
作者
Zhonglin Han,Yun Bai,Hong Chen,Chengzhan Li,Jiang Lu,Guan Song,Xinyu Liu
出处
期刊:Semiconductor Science and Technology [IOP Publishing]
卷期号:35 (10): 105002-105002 被引量:11
标识
DOI:10.1088/1361-6641/aba41c
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