| 标题 |
Improvement in Reliability of Tunneling Field-Effect Transistor With p-n-i-n Structure |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Wei Cao; C. J. Yao; G. F. Jiao; Daming Huang; H. Y. Yu; et al 出版日期:2011-05-20 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)