1/ f noise model for extracting bulk trap density in scaled metal oxide semiconductor field effect transistors

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标题	1/ f noise model for extracting bulk trap density in scaled metal oxide semiconductor field effect transistors
网址	https://pubs.aip.org/aip/jap/article-pdf/doi/10.1063/5.02994...
DOI	10.1063/5.0299430 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Prabhat Khedgarkar; Mohit D. Ganeriwala; Gangadhar Gupta; Pardeep Duhan 出版日期：2025-12-23
求助人	以张之姓在 2026-07-16 10:21:39 发布自中国，悬赏 10 积分
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