A Fast Short-Circuit Protection Method for Ohmic gate P-GaN HEMT Based on Gate Charge

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标题	A Fast Short-Circuit Protection Method for Ohmic gate P-GaN HEMT Based on Gate Charge
网址	http://dx.doi.org/10.1109/apec48143.2025.10977391
DOI	10.1109/apec48143.2025.10977391 doi
其它	期刊：2025 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) 作者：Yue Wu; Xi Jiang; Song Yuan; Xiaowu Gong; Zhaoheng Yan; et al 出版日期：2025-03-16
求助人	唠叨的谷秋在 2026-07-08 16:37:14 发布自山东，悬赏 10 积分
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