Numerical analysis of silicon carbide Schottky diodes and power MOSFETs

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标题	Numerical analysis of silicon carbide Schottky diodes and power MOSFETs
网址	https://doi.org/10.1109/ISPSD.1993.297078
DOI	10.1109/ISPSD.1993.297078 doi
其它	期刊：[1993] Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 作者：H. Funaki; A. Nakagawa; I. Omura 出版日期：1993
求助人	车剑锋在 2026-04-09 15:31:39 发布自北京，悬赏 10 积分
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