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标题
Impact of electron and hole trapping on gate reliability of planar SiC MOSFETs
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DOI
10.1016/j.mssp.2026.110641 doi
其它 期刊:Materials Science in Semiconductor Processing
作者:Cheng Sung; Yu-Cheng Wang; Shivendra Kumar Singh; Wei-Cheng Lin; Yu-Sheng Hsiao; et al
出版日期:2026-03-31
求助人
Ll 在 2026-04-13 11:33:17 发布自湖南,悬赏 10 积分
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