Predeposition interfacial oxidation and post-deposition interface nitridation of LPCVD TEOS used as gate dielectric on 4H-SiC

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标题	Predeposition interfacial oxidation and post-deposition interface nitridation of LPCVD TEOS used as gate dielectric on 4H-SiC LPCVD TEOS作为4H-SiC栅介质的沉积前界面氧化和沉积后界面氮化相关领域材料科学化学气相沉积电介质栅氧化层随时间变化的栅氧化层击穿栅极电介质光电子学沉积（地质）氧化物介电强度电子工程分析化学（期刊）电气工程电压冶金化学晶体管色谱法古生物学沉积物生物工程类
网址	https://www.scientific.net/MSF.1004.535
DOI	10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.535 doi
求助人	哇哇在 2025-08-05 15:03:45 发布自广东，悬赏 30 积分
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