High-Temperature Stability Analysis of SOI-MOSFETs Characteristics Based on SPTI Model

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标题	High-Temperature Stability Analysis of SOI-MOSFETs Characteristics Based on SPTI Model 基于SPTI模型的SOI-MOSFETs特性高温稳定性分析相关领域跨导符号绝缘体上的硅电子工程理论（学习稳定性）电气工程拓扑（电路）数学材料科学硅光电子学计算机科学工程类晶体管算术电压机器学习
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3296713
DOI	10.1109/ted.2023.3296713 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Lida Xu; Linchun Gao; Tao Ni; Sheng Wang; Z. Cao; et al 出版日期：2023-08-03
求助人	liuxch5 在 2025-08-29 21:32:04 发布自山西，悬赏 10 积分
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