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Enhanced Stability Under Positive Bias Temperature Stress in Oxide Thin Film Transistors with Double Gate Structure By Improving Bottom Channel Interface
通过改进底部沟道界面提高双栅结构氧化物薄膜晶体管在正偏压温度应力下的稳定性
相关领域
材料科学 频道（广播） 接口（物质） 压力（语言学） 薄膜晶体管 光电子学 氧化物 晶体管 图层（电子） 纳米技术 电气工程 复合材料 工程类 冶金 哲学 毛细管作用 电压 语言学 毛细管数
网址
https://doi.org/10.1149/11403.0021ecst
DOI
10.1149/11403.0021ecst doi
其它 期刊：ECS Transactions
作者：Kyoung‐Seok Son; Myoeng-Ho Kim; Seunghun Lee; Youn-Goo Kim; Jaybum Kim; et al
出版日期：2024-09-27
求助人
不驯 在 2025-08-26 23:08:51 发布，悬赏 10 积分
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