| 标题 |
 Enhanced Stability Under Positive Bias Temperature Stress in Oxide Thin Film Transistors with Double Gate Structure By Improving Bottom Channel Interface 通过改进底部沟道界面提高双栅结构氧化物薄膜晶体管在正偏压温度应力下的稳定性
相关领域
材料科学
频道（广播）
接口（物质）
压力（语言学）
薄膜晶体管
光电子学
氧化物
晶体管
图层（电子）
纳米技术
电气工程
复合材料
工程类
冶金
哲学
毛细管作用
电压
语言学
毛细管数
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：ECS Transactions 作者：Kyoung‐Seok Son; Myoeng-Ho Kim; Seunghun Lee; Youn-Goo Kim; Jaybum Kim; et al 出版日期：2024-09-27 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
潇洒的惋清
最爱巧克力和抹茶
Criminology34
Yyyyyyyyy
GingerF
七月流火
无极微光
克克
wjh
morena
claudio12
Hayat
贪玩的秋柔
OsamaKareem
vin
活泼的远航
Rita
Elm
缓慢怜菡
灰雁
皖公网安备34019202002308
