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标题
An electronic energy model for multi-stacking faults in reducing carrier lifetime in 4H-SiC epitaxial layers
4H-SiC外延层中多层错降低载流子寿命的电子能量模型
相关领域
外延 堆积 材料科学 光电子学 载流子寿命 工程物理 能量(信号处理) 结晶学 凝聚态物理 纳米技术 图层(电子) 化学 物理 核磁共振 量子力学
网址
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2024.128005 doi
其它 期刊:Journal of Crystal Growth
作者:Pengxiang Hou; Pin Wang; Yifei Li; Weiliang Zhong; Yuebin Han; et al
出版日期:2024-11-14
求助人
个性的篮球 在 2025-09-15 14:50:47 发布自广东,悬赏 10 积分
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