Post-annealing effect of low temperature atomic layer deposited Al2O3 on the top gate IGZO TFT

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标题	Post-annealing effect of low temperature atomic layer deposited Al2O3 on the top gate IGZO TFT 低温原子层沉积Al2O3对顶栅IGZO TFT的后退火效应相关领域材料科学退火（玻璃） X射线光电子能谱电容器无定形固体薄膜晶体管阈值电压光电子学分析化学（期刊）电压纳米技术晶体管图层（电子）电气工程复合材料核磁共振结晶学化学物理色谱法工程类
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6528/ad1d16
DOI	10.1088/1361-6528/ad1d16 doi
其它	期刊：Nanotechnology 作者：Sulin Zheng; Shiquan Lv; Chengyuan Wang; Zhijun Li; Liwei Dong; et al 出版日期：2024-01-25
求助人	咸蛋吵人在 2024-10-03 16:20:21 发布自湖南，悬赏 10 积分
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