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The Role of Oxygen Vacancy and Hydrogen on the PBTI Reliability of ALD IGZO Transistors and Process Optimization
氧空位和氢对ALD IGZO晶体管PBTI可靠性的影响及工艺优化
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期刊:I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者:Zhiyu Lin; Licong Kang; Jun Zhao; Yilong Yin; Ziheng Wang; et al 出版日期:2024-01-01 |
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