Ion-beam-induced isolation of GaAs layers by4He+implantation: effects of hot implants

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标题	Ion-beam-induced isolation of GaAs layers by4He+implantation: effects of hot implants 离子束诱导4He+注入GaAs层的隔离：热注入效应相关领域退火（玻璃）薄脆饼材料科学离子注入电阻率和电导率薄板电阻分析化学（期刊）离子电阻式触摸屏氦复合材料光电子学化学图层（电子）有机化学色谱法电气工程工程类
网址	http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/16/10/102
DOI	10.1088/0268-1242/16/10/102 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：S Ahmed; R Gwilliam; B J Sealy 出版日期：2002-08-25
求助人	JOJO 在 2024-05-07 01:04:47 发布自中国，悬赏 10 积分
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