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 Study of gate oxide breakdown caused by charge buildup during dry etching 干腐蚀期间电荷积累引起的栅氧化层击穿的研究
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随时间变化的栅氧化层击穿
栅氧化层
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena 作者：Kazuo Nojiri; Kazuyuki Tsunokuni 出版日期：1993-09-01 |
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