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标题
Influence of traps on the gate reverse characteristics of normally-off high-electron-mobility transistors with regrown p-GaN gate
陷阱对再生长p-GaN常关高电子迁移率晶体管栅极反转特性的影响
相关领域
光电子学 晶体管 泄漏（经济） 材料科学 量子隧道 反向偏压 接受者 存水弯（水管） 反向漏电流 物理 凝聚态物理 电气工程 工程类 宏观经济学 气象学 经济 电压 二极管 肖特基势垒
网址
https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac279c
DOI
10.35848/1882-0786/ac279c doi
其它 期刊：Applied Physics Express
作者：Xin Chen; Yaozong Zhong; Xiaolu Guo; Shumeng Yan; Yu Zhou; et al
出版日期：2021-09-28
求助人
渊虞 在 2025-06-24 16:00:09 发布自上海，悬赏 20 积分
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