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 Enhanced Electrical Performance and Low Frequency Noise of In2O3 Thin-Film Transistors Using Al2O3/CeGdO x Bilayer Gate Dielectrics Al2O3/CeGdO x双层栅介质增强In2O3薄膜晶体管的电性能和低频噪声
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物理
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Leini Wang; Gang He; Shanshan Jiang; Wenhao Wang; Xiaorong Xu; et al 出版日期：2022-06-01 |
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