Effects of Surface Size and Shape of Evaporation Area on SiC Single-Crystal Growth Using the PVT Method

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标题	Effects of Surface Size and Shape of Evaporation Area on SiC Single-Crystal Growth Using the PVT Method 表面尺寸和蒸发区形状对PVT法生长SiC单晶的影响相关领域微晶材料科学蒸发碳化硅石墨晶体生长单晶 Crystal（编程语言）晶种结晶学复合材料冶金化学热力学物理计算机科学程序设计语言
网址	https://www.mdpi.com/2073-4352/14/2/118/pdf?version=17061571... AI链接 mdpi.com mdpi.comdoi.org
DOI	10.3390/cryst14020118 doi
求助人	木小白在 2025-06-11 09:32:26 发布自河南，悬赏 10 积分
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