| 标题 |
  Post-thermal Annealing Effects on Photoluminescence Properties of InAs Quantum Dots on GaNAs Buffer Layer 相关领域
光致发光
缓冲器（光纤）
退火（玻璃）
量子点
材料科学
光电子学
化学气相沉积
金属有机气相外延
图层（电子）
纳米技术
外延
复合材料
计算机科学
电信
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| 网址 | |
| DOI |
10.7567/jjap.50.030205
doi
提醒：求助人提供的doi与AI识别不一致
10.1143/jjap.50.030205
Doi
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| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Tomoyuki Miyamoto; Ryoichiro Suzuki 出版日期：2011-03-01 |
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