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 High-accuracy quantitative metrology of dislocations in heavily doped 4H–SiC substrates based on photoluminescence imaging 相关领域
计量学
材料科学
薄脆饼
背景（考古学）
渲染（计算机图形）
表征（材料科学）
计算机科学
光电子学
可靠性（半导体）
半导体
人工智能
桥接（联网）
碳化硅
光致发光
临界尺寸
示意图
水准点（测量）
纳米技术
平版印刷术
再现性
重复性
宽禁带半导体
校准
增采样
电子工程
兴奋剂
功率（物理）
表面计量学
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期刊：Measurement Science and Technology 作者：Lu-lu Yu; Yi-Hang Qiu; Zhi-li Hu 出版日期：2026-07-08 |
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