Monolithically Integrated Enhancement-Mode and Depletion-Mode β-Ga2O3 MESFETs with Graphene-Gate Architectures and Their Logic Applications

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标题	Monolithically Integrated Enhancement-Mode and Depletion-Mode β-Ga2O3 MESFETs with Graphene-Gate Architectures and Their Logic Applications
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.9b19667
DOI	10.1021/acsami.9b19667 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Janghyuk Kim; Jihyun Kim; Jihyun Kim; Jihyun Kim 出版日期：2020-01-03
求助人	Yiovoij 在 2026-11-05 17:45:16 发布自重庆，悬赏 10 积分
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