| 标题 |
Atomic‐scale strain analysis for advanced Si/SiGe heterostructure by using transmission electron microscopy |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Electron 作者:Lan Li; R. Bi; Zuo-Yuan Dong; Changqing Ye; Jing Xie; et al 出版日期:2024-04-04 |
| 求助人 | |
| 下载 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)