Overview and Outlook of Three-Dimensional Integrated Circuit Packaging, Three-Dimensional Si Integration, and Three-Dimensional Integrated Circuit Integration

三维集成电路 集成电路 通过硅通孔 集成电路封装 纵向一体化 材料科学 系统集成 薄脆饼 光电子学 计算机科学 政治学 法学 操作系统
作者
John H. Lau
出处
期刊:Journal of Electronic Packaging [ASM International]
卷期号:136 (4) 被引量:104
标识
DOI:10.1115/1.4028629
摘要

3D integration consists of 3D integrated circuit (IC) packaging, 3D Si integration, and 3D IC integration. They are different and in general the through-silicon via (TSV) separates 3D IC packaging from 3D Si/IC integrations since the latter two use TSV but 3D IC packaging does not. 3D Si integration and 3D IC integration are different. 3D IC integration stacks up the thin chips with TSV and microbump, while 3D Si integration stacks up thin wafers with TSV alone (i.e., bumpless). TSV is the heart of 3D Si/IC integrations and is the focus of this investigation. Also, the state-of-the-art, challenge, and trend of 3D integration will be presented and examined. Furthermore, supply chain readiness for high volume manufacturing (HVM) of TSVs is discussed.
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