氟化非晶碳薄膜的光学带隙分析

摘要 研究了CHF3C6H6沉积的氟化非晶碳(αC∶F)薄膜的光学带隙.发现αC∶F薄膜光学带隙的大小取决于薄膜中C—F,CC的相对含量.这是由于CC形成的窄带隙π键和C—F形成的宽带隙σ键含量的相对变化,改变了带边态密度分布的结果.在微波功率为140—700W、沉积气压为01—10Pa、源气体CHF3∶C6H6流量比为1∶1—10∶1条件下沉积的αC∶F薄膜,光学带隙在176—398eV之间 关键词: 氟化非晶碳(αC∶F)薄膜 / 光学带隙 / 键结构 Abstract Keywords: / / 作者及机构信息 叶超2, 宁兆元2, 程珊华2, 王响英1 (1)苏州大学基础医学系,苏州21500; (2)苏州大学物理系,苏州215006 基金项目: 江苏省高等学校省级重点实验室开放课题 (批准号 :KJS0 10 12 );国家自然科学基金 (批准号 :10 175 0 48)资助的课题 Authors and contacts Ye Chao2, Ning Zhao-Yuan2, Cheng Shan-Hua2, Wang Xiang-Ying1 (1)苏州大学基础医学系,苏州21500; (2)苏州大学物理系,苏州215006 参考文献 施引文献