Decomposition of Charge Loss Mechanisms in 3-D Nand Flash Memory: Impact of Cell Dimension via High-Temperature Long-Term Retention Characteristics

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作者
Jounghun Park,Gilsang Yoon,Donghyun Go,Donghwi Kim,Hyun Chul Sagong,Jungsik Kim,Jeong‐Soo Lee
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (10): 6040-6048
标识
DOI:10.1109/ted.2024.3449251

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