Direct observation of contact potential distributions of wafer-bonded p-GaAs/n-GaN and p-GaAs/n-Si by scanning Kelvin probe force microscopy

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作者
Zhiwei Xing,Wenxian Yang,Yukun Zhao,Junhua Long,Xuefei Li,Pan Dai,Junqi Lai,Qi Chen,Lifeng Bian,Shiro Uchida,Shulong Lu
出处
期刊:Japanese Journal of Applied Physics [Institute of Physics]
卷期号:59 (11): 115502-115502 被引量:3
标识
DOI:10.35848/1347-4065/abc02a
摘要

Abstract Electrical properties of the wafer bonding p-GaAs/n-GaN, p-GaAs/n-Si and p-GaAs/ITO//ITO/n-Si are investigated systematically by scanning Kelvin probe force microscopy (KPFM), capacitance–voltage ( C – V ) and current–voltage ( I – V ) measurements. By using KPFM, the contact potential distributions and contact barrier differences of these bonding heterojunctions with Schottky-like characteristics or ohmic feature have been obtained. The contact barrier differences measured by KPFM match well with those measured by C – V . These barriers indicate the thicker interface layer has a larger barrier height, which could contain more interface states. The I – V curve of the heterostructure with the smaller contact barrier difference is shown as an Ohmic contact feature. In contrast, the I – V curve of the junction with the larger contact barrier difference shows a Schottky contact behavior with a larger turn-on voltage. These behaviors indicate that the electrical conductivity of the bonding sample depends on the bonding interface layer significantly.

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