Impact of Back Barrier with Back Gate on Device Performance of AlGaN/GaN DG-HEMT

高电子迁移率晶体管 光电子学 材料科学 电气工程 晶体管 工程类 电压
作者
Aboo Bakar Khan,M. J. Siddiqui
出处
期刊:Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics [American Scientific Publishers]
卷期号:14 (5): 699-704 被引量:4
标识
DOI:10.1166/jno.2019.2513
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