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作者
Klaus Dimmler,Michael D. Parris,Donald P. Butler,Shane M. Eaton,B. Pouligny,J. F. Scott,Yoshihiro Ishibashi
摘要
The time dependence of the current transient i(t) produced by the reversal of domains in ferroelectric potassium nitrate thin-film memories of 75–300 nm is analyzed as a function of temperature and of thickness using the Avrami theory. For all the films the kinetics confirm the low-dimensional nature of the system
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