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电介质
作者
Scott R. Summerfelt,John R. Rodriguez,H. McAdams
标识
DOI：10.1109/isaf.2008.4693963
摘要
Design of ferroelectric memories, F-RAMs, requires an accurate ferroelectric SPICE model. The goal of a good SPICE model is to predict the behavior of the ferroelectric capacitor in the circuit environment.
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