Periodically Grounded Trench Bottom Shielding in SiC Trench MOSFET for Enhanced Single-Event Gate Oxide Damage Hardness

材料科学 沟槽 MOSFET 光电子学 栅氧化层 电磁屏蔽 碳化硅 氧化物 浅沟隔离 电气工程 功率MOSFET 金属浇口 宽禁带半导体 电子工程 逻辑门 压力(语言学) 随时间变化的栅氧化层击穿
作者
Xing Zeng,Xiaochuan Deng,Xuke Yan,Zhijie Cheng,Jun Yuan,Xuan Li,Bo Zhang
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:: 1-7
标识
DOI:10.1109/ted.2026.3705016
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