光电探测器
异质结
材料科学
光电子学
极化（电化学）
光学
物理
化学
物理化学
作者
Le Ju,B. S. Zou,Suofu Wang,Tao Han,Tao Han,X. T. Hou,Xingyuan Hou,Min Zhang,Lei Shan,Mingsheng Long,Mingsheng Long
出处
期刊：Nanoscale
[Royal Society of Chemistry]
日期：2025-01-01
卷期号：17 (43): 25081-25089
摘要
The b-AsP/In 2 Se 3 heterostructure phototransistor device exhibits excellent performance in solar-blind ultraviolet detection with a high photoresponsivity of 4129.3 A W −1 and a polarization dichroic ratio of ∼2.12.
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